International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB050N06NGATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB050N06NGATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB050N06NGATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB050N06N G
IPB050N06N G-ND
IPB050N06NGATMA1TR
IPB050N06NGINTR
IPB050N06NGINTR-ND
IPB050N06NGXT
SP000204170
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

167nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPB050N06NGATMA1".

IPB04N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

IPB050N06NGATMA1

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