Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB067N08N3GATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4869135IPB067N08N3GATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB067N08N3GATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1000+
$1.232
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB067N08N3GATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB067N08N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 73µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 73A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    136W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB067N08N3 G
    IPB067N08N3 G-ND
    IPB067N08N3 GTR-ND
    IPB067N08N3G
    IPB067N08N3GATMA1TR
    SP000443636
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3840pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    80V
  • Description détaillée
    N-Channel 80V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB067N08N3GATMA1".
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

La description: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

La description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB05N03LAT

IPB05N03LAT

La description: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

La description: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB065N06L G

IPB065N06L G

La description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB05N03LB

IPB05N03LB

La description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

La description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

La description: MV POWER MOS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.