Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB097N08N3 G
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3777874IPB097N08N3 G imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB097N08N3 G

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB097N08N3 G
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB097N08N3 G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 46µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.7 mOhm @ 46A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    100W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB097N08N3 G-ND
    IPB097N08N3 GTR-ND
    IPB097N08N3G
    IPB097N08N3GTR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2410pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    80V
  • Description détaillée
    N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    70A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB097N08N3 G".
IPB080N06N G

IPB080N06N G

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S303ATMA1

IPB100N04S303ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

La description: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

La description: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S205ATMA1

IPB100N06S205ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB09N03LA

IPB09N03LA

La description: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

La description: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.