Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB100N06S3-04
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2813765IPB100N06S3-04 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB100N06S3-04

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB100N06S3-04
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB100N06S3-04.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO263-3-2
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    214W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB100N06S3-04-ND
    IPB100N06S3-04INTR
    IPB100N06S304XT
    SP000102220
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    14230pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    314nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    55V
  • Description détaillée
    N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB100N06S3-04".
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

La description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N08S2L07ATMA1

IPB100N08S2L07ATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S3L-03

IPB100N06S3L-03

La description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S303ATMA1

IPB100N04S303ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

La description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N10S305ATMA1

IPB100N10S305ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S3L-04

IPB100N06S3L-04

La description: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S205ATMA1

IPB100N06S205ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB10N03LB

IPB10N03LB

La description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S205ATMA4

IPB100N06S205ATMA4

La description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N06S3-03

IPB100N06S3-03

La description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB100N08S207ATMA1

IPB100N08S207ATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Fabricant: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.