Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB120N04S4L02ATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3335784IPB120N04S4L02ATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N04S4L02ATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1000+
$1.225
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB120N04S4L02ATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB120N04S4L02ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 110µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    158W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    SP000979924
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    14560pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB120N04S4L02ATMA1".
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N06N G

IPB120N06N G

La description: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N04S3-02

IPB120N04S3-02

La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB11N03LA

IPB11N03LA

La description: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1

La description: MOSFET N-CH 200 D2PAK-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N03S4L03ATMA1

IPB120N03S4L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N04S404ATMA1

IPB120N04S404ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB11N03LA G

IPB11N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB114N03L G

IPB114N03L G

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N06S4H1ATMA2

IPB120N06S4H1ATMA2

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N06S402ATMA1

IPB120N06S402ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.