Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB144N12N3GATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4304281IPB144N12N3GATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB144N12N3GATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$2.00
10+
$1.806
100+
$1.451
500+
$1.129
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB144N12N3GATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB144N12N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 61µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 56A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    107W (Tc)
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB144N12N3 GDKR
    IPB144N12N3 GDKR-ND
    IPB144N12N3GATMA1DKR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3220pF @ 60V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    49nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    120V
  • Description détaillée
    N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    56A (Ta)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB144N12N3GATMA1".
IPB13N03LB

IPB13N03LB

La description: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

La description: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB14N03LA

IPB14N03LA

La description: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

La description: MOSFET P-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB13N03LB G

IPB13N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

La description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

La description: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

La description: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

La description: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

La description: MOSFET N-CH TO262-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

La description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.