International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R125CPATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB60R125CPATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 25A TO263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB60R125CPATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max)

208W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB60R125CP
IPB60R125CP-ND
IPB60R125CPATMA1TR
IPB60R125CPTR
IPB60R125CPTR-ND
SP000297368
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 25A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

25A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPB60R125CPATMA1".

IPB60R060P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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