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1779621IPB65R150CFDAATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R150CFDAATMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB65R150CFDAATMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 900µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 9.3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    195.3W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    SP000928270
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2340pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    22.4A (Tc)
RT0603FRD07301KL

RT0603FRD07301KL

La description: RES SMD 301K OHM 1% 1/10W 0603

Fabricant: Yageo
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