Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB80N06S405ATMA2
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5470958IPB80N06S405ATMA2 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S405ATMA2

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1000+
$0.81
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB80N06S405ATMA2
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB80N06S405ATMA2.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 60µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO263-3-2
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    107W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    SP001028718
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    6500pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    81nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB80N06S405ATMA2".
IPB80N06S3-05

IPB80N06S3-05

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S4L05ATMA1

IPB80N06S4L05ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N08S406ATMA1

IPB80N08S406ATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N07S405ATMA1

IPB80N07S405ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S2L11ATMA1

IPB80N06S2L11ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S3-07

IPB80N06S3-07

La description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S3L-06

IPB80N06S3L-06

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S2LH5ATMA4

IPB80N06S2LH5ATMA4

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S405ATMA1

IPB80N06S405ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S407ATMA1

IPB80N06S407ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S3L-05

IPB80N06S3L-05

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.