Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD035N06L3GATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1471411IPD035N06L3GATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD035N06L3GATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD035N06L3GATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPD035N06L3GATMA1.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 93µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO252-3
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 mOhm @ 90A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    167W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD035N06L3 GCT
    IPD035N06L3 GCT-ND
    IPD035N06L3GATMA1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    79nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    90A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

2025/01/20

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPD035N06L3GATMA1".
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD03N03LA G

IPD03N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 90A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD031N03LGBTMA1

IPD031N03LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD038N04NGBTMA1

IPD038N04NGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

La description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD033N06NATMA1

IPD033N06NATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD031N03M G

IPD031N03M G

La description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD03N03LB G

IPD03N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD036N04LGBTMA1

IPD036N04LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD042P03L3GBTMA1

IPD042P03L3GBTMA1

La description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD040N03LGBTMA1

IPD040N03LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousNouvellesSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.