Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD14N06S280ATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4449899IPD14N06S280ATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD14N06S280ATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD14N06S280ATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPD14N06S280ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 14µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO252-3
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 7A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    47W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD14N06S2-80
    IPD14N06S2-80-ND
    IPD14N06S280ATMA1TR
    SP000252161
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    293pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    55V
  • Description détaillée
    N-Channel 55V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    17A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPD14N06S280ATMA1".
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

La description: LV POWER MOS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

La description: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD170N04NGBTMA1

IPD170N04NGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 45A

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1

La description: MV POWER MOS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA1

IPD15N06S2L64ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD16CN10N G

IPD16CN10N G

La description: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD160N04LGBTMA1

IPD160N04LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

La description: N-CHANNEL_55/60V

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD16CNE8N G

IPD16CNE8N G

La description: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.