Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD30N06S2L13ATMA4
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2054459IPD30N06S2L13ATMA4 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N06S2L13ATMA4

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$1.40
10+
$1.24
100+
$0.98
500+
$0.76
1000+
$0.60
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD30N06S2L13ATMA4
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPD30N06S2L13ATMA4.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 80µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO252-3-11
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    136W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD30N06S2L13ATMA4CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    55V
  • Description détaillée
    N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPD30N06S2L13ATMA4".
IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 200V 34A

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

La description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N10S3L34ATMA1

IPD30N10S3L34ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S2-15

IPD30N06S2-15

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

La description: MOSFET N-CHANNEL_100+

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S223ATMA1

IPD30N06S223ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N03S2L07ATMA1

IPD30N03S2L07ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L21ATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N06S223ATMA2

IPD30N06S223ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N03S4L09ATMA1

IPD30N03S4L09ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD30N03S2L10ATMA1

IPD30N03S2L10ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.