International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R1K5CEATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPD60R1K5CEATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V TO-252-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPD60R1K5CEATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252-3
Séries

CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

28W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

IPD60R1K5CEATMA1DKR
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.1A (Tc)

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IPD60R1K4C6

La description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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