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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD65R1K4CFDBTMA1
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5518871IPD65R1K4CFDBTMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R1K4CFDBTMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD65R1K4CFDBTMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO252-3
  • Séries
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 1A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    28.4W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD65R1K4CFDBTMA1TR
    SP000953126
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    262pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 2.8A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    2.8A (Tc)
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1

La description: MOSFET N-CH 650V TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD65R380E6BTMA1

IPD65R380E6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD65R250C6XTMA1

IPD65R250C6XTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD65R1K5CEAUMA1

IPD65R1K5CEAUMA1

La description: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R1K4C6ATMA1

IPD65R1K4C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R225C7ATMA1

IPD65R225C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R380C6ATMA1

IPD65R380C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD60R950C6

IPD60R950C6

La description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD64CN10N G

IPD64CN10N G

La description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R380C6BTMA1

IPD65R380C6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R1K0CEAUMA1

IPD65R1K0CEAUMA1

La description: MOSFET N-CH 650V TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD640N06LGBTMA1

IPD640N06LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 18A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1

La description: CONSUMER

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD65R420CFDAATMA1

IPD65R420CFDAATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

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IPD65R380E6ATMA1

IPD65R380E6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

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IPD65R250E6XTMA1

IPD65R250E6XTMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD60R800CEATMA1

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La description: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

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