Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD80R1K4CEBTMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4110528IPD80R1K4CEBTMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K4CEBTMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$1.13
10+
$1.009
100+
$0.787
500+
$0.65
1000+
$0.513
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD80R1K4CEBTMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 240µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-252-3
  • Séries
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    63W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD80R1K4CEBTMA1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    570pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    800V
  • Description détaillée
    N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.9A (Tc)
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

La description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

La description: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter