International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI100N06S3L04XK

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Spécifications

Modèle de produit

IPI100N06S3L04XK
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPI100N06S3L04XK.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 150µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO262-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)

214W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

IPI100N06S3L-04
IPI100N06S3L-04-ND
IPI100N06S3L-04IN
IPI100N06S3L-04IN-ND
IPI100N06S3L04X
SP000102211
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

17270pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

362nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

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IPI100N10S305AKSA1

La description: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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