International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI50CN10NGHKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPI50CN10NGHKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPI50CN10NGHKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO262-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

44W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

IPI50CN10N G
IPI50CN10N G-ND
SP000208937
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 20A (Tc) 44W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPI50CN10NGHKSA1".

IPI45N06S3-16

La description: MOSFET N-CH 55V 45A TO-262

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPI50CN10NGHKSA1

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