IPI90R800C3

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Spécifications

Modèle de produit

IPI90R800C3
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPI90R800C3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 460µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO262-3
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 4.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

104W (Tc)
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

SP000413730
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

900V
Description détaillée

N-Channel 900V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.9A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPI90R800C3".

IPI80P04P405AKSA1

La description: MOSFET P-CH TO262-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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