International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL65R660E6AUMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPL65R660E6AUMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 4VSON
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPL65R660E6AUMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

Thin-Pak (8x8)
Séries

CoolMOS™ E6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

660 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

63W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

4-PowerTSFN
Autres noms

SP000895212
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

2A (4 Weeks)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount Thin-Pak (8x8)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPL65R660E6AUMA1".

IPLA32L1R0KD

La description: HIGH CURRENT PLANAR CHOKE INDUCT

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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