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International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP041N04NGXKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPP041N04NGXKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPP041N04NGXKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 45µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO220-3-1
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)

94W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

IPP041N04N G
IPP041N04N G-ND
IPP041N04NG
SP000680790
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

N-Channel 40V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPP041N04NGXKSA1".

IPP03N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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