International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP05CN10NGXKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPP05CN10NGXKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPP05CN10NGXKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO-220-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

IPP05CN10N G
IPP05CN10N G-ND
IPP05CN10NG
IPP05CN10NGIN
IPP05CN10NGIN-ND
IPP05CN10NGX
IPP05CN10NGXK
SP000680814
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

181nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPP05CN10NGXKSA1".

IPP052NE7N3GHKSA1

La description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPP05CN10NGXKSA1

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