International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP083N10N5AKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPP083N10N5AKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH TO220-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPP083N10N5AKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 49µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO-220-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 73A, 10V
Dissipation de puissance (max)

100W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SP001226036
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 73A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

73A (Tc)

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IPP093N06N3GHKSA1

La description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPP083N10N5AKSA1

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