International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP65R125C7XKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPP65R125C7XKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 18A TO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPP65R125C7XKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 440µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO-220-3
Séries

CoolMOS™ C7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 8.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

101W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SP001080132
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Tc)

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IPP65R280C6XKSA1

La description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPP65R125C7XKSA1

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