International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP80R1K2P7XKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPP80R1K2P7XKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPP80R1K2P7XKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO220-3
Séries

CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Dissipation de puissance (max)

37W (Tc)
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SP001644606
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 500V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPP80R1K2P7XKSA1".

IPP80P04P4L06AKSA1

La description: MOSFET P-CH TO220-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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