International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS040N03LGBKMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPS040N03LGBKMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPS040N03LGBKMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO251-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

79W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms

IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 90A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

90A (Tc)

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IPS042GTR

La description: IC MOSFET PWR SW DUAL 2A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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