International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS105N03LGAKMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPS105N03LGAKMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPS105N03LGAKMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO251-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

38W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms

IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 35A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IPS105N03LGAKMA1".

IPS160HTR

La description: IC PWR SWITCH P-CHAN POWERSS012

Fabricant: STMicroelectronics

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