International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT020N10N3ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPT020N10N3ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPT020N10N3ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 272µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-HSOF-8-1
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 150A, 10V
Dissipation de puissance (max)

375W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerSFN
Autres noms

IPT020N10N3ATMA1CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

300A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPT020N10N3ATMA1".

IPT0020G33R

La description: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE

Fabricant: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

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