1720023

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT60R102G7XTMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPT60R102G7XTMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPT60R102G7XTMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 390µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-HSOF-8
Séries

CoolMOS™ G7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

141W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerSFN
Autres noms

IPT60R102G7XTMA1TR
SP001579318
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 23A (Tc) 141W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

23A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPT60R102G7XTMA1".

IPT1-150-01-S-D-RA

La description: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Fabricant: Samtec, Inc.

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