International Rectifier (Infineon Technologies)

IPU80R1K4P7AKMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPU80R1K4P7AKMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 700µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO251-3
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

32W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

SP001422742
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

10.05nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Tc)

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IPU80R2K4P7AKMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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