International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW60R125P6XKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPW60R125P6XKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V TO247-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPW60R125P6XKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 960µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO247-3
Séries

CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 11.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

219W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

SP001114656
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

30A (Tc)

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IPW60R160C6FKSA1

La description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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