International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW65R041CFDFKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPW65R041CFDFKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPW65R041CFDFKSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3.3mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO247-3
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 33.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

500W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

IPW65R041CFD
IPW65R041CFD-ND
SP000756288
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

68.5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPW65R041CFDFKSA1".

IPW60R280P6FKSA1

La description: MOSFET N-CH 600V TO247-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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