International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1010EZPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF1010EZPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF1010EZPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 51A, 10V
Dissipation de puissance (max)

140W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

*IRF1010EZPBF
SP001571244
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2810pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

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IRF1010EL

La description: MOSFET N-CH 60V 84A TO-262

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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