International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1018EPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF1018EPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF1018EPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 47A, 10V
Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SP001574502
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

79A (Tc)

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IRF1010ZSTRLPBF

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