International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3205STRR

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Spécifications

Modèle de produit

IRF3205STRR
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRF3205STRR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 62A, 10V
Dissipation de puissance (max)

200W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3247pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

146nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

110A (Tc)

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IRF3205ZLPBF

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