International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF3709ZLPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF3709ZLPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF3709ZLPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-262
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max)

79W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

*IRF3709ZLPBF
SP001574636
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

87A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF3709ZLPBF".

IRF3709ZCSTRR

La description: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF3709ZLPBF

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