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IRF5804

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Spécifications

Modèle de produit

IRF5804
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRF5804.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

Micro6™(TSOP-6)
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

198 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

40V
Description détaillée

P-Channel 40V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.5A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF5804".

IRF5803D2TR

La description: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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