International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF630NLPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF630NLPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF630NLPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-262
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

82W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

*IRF630NLPBF
SP001559690
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

575pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9.3A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF630NLPBF".

IRF630NSTRRPBF

La description: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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