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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6609TR1

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6609TR1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRF6609TR1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ MT
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 31A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric MT
Autres noms

SP001529252
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6290pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

31A (Ta), 150A (Tc)

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