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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRF6623TRPBF

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International Rectifier (Infineon Technologies)

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6623TRPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF6623TRPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ ST
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.4W (Ta), 42W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric ST
Autres noms

IRF6623TRPBFTR
SP001526818
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 16A (Ta), 55A (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

16A (Ta), 55A (Tc)

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