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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRF6641TRPBF

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IRF6641TRPBF image

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6641TRPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6641TRPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF6641TRPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ MZ
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric MZ
Autres noms

IRF6641TRPBF-ND
IRF6641TRPBFTR
SP001559700
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.6A (Ta), 26A (Tc)

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IRF6637TR1

La description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

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