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6730100IRF7526D1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7526D1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IRF7526D1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    IRF7526D1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    Micro8™
  • Séries
    FETKY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200 mOhm @ 1.2A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.25W (Ta)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    180pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    P-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
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Expédition
Paiement
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