International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7601PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF7601PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF7601PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

Micro8™
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Autres noms

SP001551458
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.7V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.7A (Ta)

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livraison
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IRF7607TRPBF

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