International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF9Z24NLPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF9Z24NLPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF9Z24NLPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-262
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

175 mOhm @ 7.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.8W (Ta), 45W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

*IRF9Z24NLPBF
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

P-Channel 55V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF9Z24NLPBF".

IRF9Z24SPBF

La description:

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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