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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRFH8311TRPBF

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IRFH8311TRPBF image

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH8311TRPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFH8311TRPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFH8311TRPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PQFN (5x6)
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.6W (Ta), 96W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-TQFN Exposed Pad
Autres noms

IRFH8311TRPBFTR
SP001564136
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4960pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 32A (Ta), 169A (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

32A (Ta), 169A (Tc)

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