IRFL014NPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFL014NPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFL014NPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 1.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

SP001570856
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 1.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.9A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRFL014NPBF".

IRFIZ46G

La description: MOSFET N-CH 50V TO-220FP

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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