IRFP4668PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFP4668PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFP4668PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247AC
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.7 mOhm @ 81A, 10V
Dissipation de puissance (max)

520W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

AUXSNFP4668
AUXSNFP4668-ND
SP001572854
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10720pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

241nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 130A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

130A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRFP4668PBF".

IRFP460C

La description: MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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