IRFS3607PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFS3607PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFS3607PBF.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

3070pF @ 50V
Tension - Ventilation

D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id

9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (Max)

10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

HEXFET®
État RoHS

Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80A (Tc)
Polarisation

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP001557342
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

IRFS3607PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

84nC @ 10V
type de IGBT

±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 100µA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 75V 80A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

75V
Ratio de capacité

140W (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IRFS3607PBF".

IRFS3307TRLPBF

La description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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