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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRFU3709

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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFU3709

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Spécifications

Modèle de produit

IRFU3709
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRFU3709.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

IPAK (TO-251)
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)

120W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

*IRFU3709
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2672pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 90A (Tc) 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

90A (Tc)

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