International Rectifier (Infineon Technologies)

IRG8B08N120KDPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRG8B08N120KDPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE 1200V 8A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRG8B08N120KDPBF.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A
Condition de test

600V, 5A, 47 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

20ns/160ns
énergie de commutation

300µJ (on), 300µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

50ns
Puissance - Max

89W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SP001542028
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

45nC
Description détaillée

IGBT 1200V 15A 89W Through Hole TO-220AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

15A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

15A

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Ce qui suit est des produits liés à "IRG8B08N120KDPBF".

IRG8CH184K10F

La description: IGBT CHIP WAFER

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

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