International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL3303LPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRL3303LPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRL3303LPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-262
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

*IRL3303LPBF
SP001568474
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 38A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

38A (Tc)

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IRL3303PBF

La description: MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

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